BSP315PH6327XTSA1 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, BSP315PH6327XTSA1 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize BSP315PH6327XTSA1 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
BSP315PH6327XTSA1 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
BSP315PH6327XTSA1
- Parça Numarası:
- BSP315PH6327XTSA1
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 54520 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- BSP315PH6327XTSA1.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Gerilim - Deney: | 160pF @ 25V |
| Gerilim - Arıza: | PG-SOT223-4 |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 800 mOhm @ 1.17A, 10V |
| Vgs (Maks.): | 4.5V, 10V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dizi: | SIPMOS® |
| RoHS Durumu: | Tape & Reel (TR) |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 1.17A (Ta) |
| polarizasyon: | TO-261-4, TO-261AA |
| Diğer isimler: | BSP315PH6327XTSA1TR SP001058830 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 10 Weeks |
| Üretici parti numarası: | BSP315PH6327XTSA1 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7.8nC @ 10V |
| IGBT Tipi: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 2V @ 160µA |
| FET Özelliği: | P-Channel |
| Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 60V 1.17A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | - |
| Açıklama: | MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 60V |
| kapasitans Oranı: | 1.8W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
BSP315PH6327XTSA1 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- HBM üretim kapasitesi hariç tutulur, DRAM belleği yılın ikinci yarısında yetersiz olabilir
- Duvar kurucuları bitecek, HBM veya DRAM'ın tekrar yükselmesine neden olacak
- AI cep telefonu ve PC genişleme talebi, küresel yarı iletken üretim endüstrisinin iyileştirilmesi
- Ağ Güvenliği Görüntü Sensörleri için ADAS ve Kabin İzleme Sistemlerinin ihtiyaçlarını anlayın
- Samsung ve SK Hynix'in DDR3'ü durdurduğu ve promosyon alıntısının % 20 arttığı söylentileri var
- Melexis MLX90427: Yeni Seçim, Güvenli, Verimli ve Ekonomik Çizgi Kontrolü yayınladı
- NXP ve Ansonmei'nin finansal raporu duyuruldu ve bakır fiyatlarının fiyatı IC endüstrisine aktarıldı
- Moels Micro Electronics, Tayvan, Çin'de iş bölgesini genişletmek için yeni bir ofis kurdu
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- Yerel olgun çip hacmi, Samsung Nand yük yakınında flaş bellek üretim kapasitesi