Y09261R00000F9L พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ Y09261R00000F9L เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ Y09261R00000F9L ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ Y09261R00000F9L ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
Y09261R00000F9L
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- Y09261R00000F9L
- ผู้ผลิต:
- ลักษณะ:
- RES 1 OHM 8W 1% TO220-4
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 25388 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- Y09261R00000F9L.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 8W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | TO-220 |
| ความหนา (สูงสุด): | ±2ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.400" L x 0.150" W (10.16mm x 3.81mm) |
| ชุด: | VPR221 |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| โพลาไรซ์: | TO-220-4 |
| ชื่ออื่น: | VPR221T 1R0000 1.0% Y0926-1.0B |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | Y09261R00000F9L |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.845" (21.46mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Non-Inductive |
| FIFO ของ: | 4 |
| ขยายคำอธิบาย: | 1 Ohm ±1% 8W Through Hole Resistor TO-220-4 Non-Inductive Metal Foil |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±1% |
| ลักษณะ: | RES 1 OHM 8W 1% TO220-4 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Metal Foil |
| แบนด์วิดธ์: | 1 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ Y09261R00000F9L
ข่าว Latest
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC