Y09261R00000F9L je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro Y09261R00000F9L, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro Y09261R00000F9L e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si Y09261R00000F9L s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
Y09261R00000F9L
- Part Number:
- Y09261R00000F9L
- Výrobce:
- Popis:
- RES 1 OHM 8W 1% TO220-4
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 25388 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- Y09261R00000F9L.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napìtí - AC: | - |
| Napětí - Pracovní: | 8W |
| Napětí - Rozdělení: | TO-220 |
| Tloušťka (Max): | ±2ppm/°C |
| Velikost / Rozměry: | 0.400" L x 0.150" W (10.16mm x 3.81mm) |
| Série: | VPR221 |
| Stav RoHS: | Bulk |
| Polarizace: | TO-220-4 |
| Ostatní jména: | VPR221T 1R0000 1.0% Y0926-1.0B |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 14 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | Y09261R00000F9L |
| Výška - Sedící (Max): | 0.845" (21.46mm) |
| Funkce: | Non-Inductive |
| FIFO je: | 4 |
| Rozšířený popis: | 1 Ohm ±1% 8W Through Hole Resistor TO-220-4 Non-Inductive Metal Foil |
| ESR (Equivalent Resistance Series): | ±1% |
| Popis: | RES 1 OHM 8W 1% TO220-4 |
| Coating, typ bydlení: | Metal Foil |
| Bandwidth: | 1 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro Y09261R00000F9L
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC