TPC8048-H(TE12L,Q) พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TPC8048-H(TE12L,Q) เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TPC8048-H(TE12L,Q) ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TPC8048-H(TE12L,Q) ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TPC8048-H(TE12L,Q)
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TPC8048-H(TE12L,Q)
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 44206 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 7540pF @ 10V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 8-SOP (5.5x6.0) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 6.9 mOhm @ 8A, 10V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด: | U-MOSVI-H |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 16A (Ta) |
| โพลาไรซ์: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| ชื่ออื่น: | TPC8048-HTE12LQTR TPC8048HTE12LQ |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | TPC8048-H(TE12L,Q) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 87nC @ 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 2.3V @ 1mA |
| คุณสมบัติ FET: | N-Channel |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 60V 16A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | - |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 60V |
| อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ: | 1W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TPC8048-H(TE12L,Q)
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร