TPC8026(TE12L,Q,M)
รุ่นผลิตภัณฑ์:
TPC8026(TE12L,Q,M)
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
50966 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.TPC8026(TE12L,Q,M).pdf2.TPC8026(TE12L,Q,M).pdf

บทนำ

TPC8026(TE12L,Q,M) พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TPC8026(TE12L,Q,M) เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TPC8026(TE12L,Q,M) ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TPC8026(TE12L,Q,M) ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-SOP (5.5x6.0)
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:6.6 mOhm @ 6.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1800pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:42nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 30V 13A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:13A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest