TLE4274G V10 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TLE4274G V10 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TLE4274G V10 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TLE4274G V10 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TLE4274G V10
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TLE4274G V10
- ลักษณะ:
- IC REG LIN 10V 400MA TO263-3-1
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 56583 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TLE4274G V10.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันตก (สูงสุด): | 0.5V @ 250mA |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (ต่ำสุด / คงที่): | 10V |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด): | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อินพุต (สูงสุด): | 40V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO263-3-1 |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100 |
| คุณสมบัติการป้องกัน: | Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| PSRR: | 60dB (100Hz) |
| ประเภทขาออก: | Fixed |
| การกำหนดค่าเอาท์พุท: | Positive |
| ชื่ออื่น: | SP000011798 SP000362359 TLE4274G V10-ND TLE4274G V10TR TLE4274G V10TR-ND TLE4274GV10 TLE4274GV10ATMA1 TLE4274GV10NT TLE4274GV10T TLE4274GV10T-ND TLE4274GV10TR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C |
| จำนวนหน่วยงานกำกับดูแล: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 10V 400mA PG-TO263-3-1 |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | 30mA |
| ปัจจุบัน - เงียบ (Iq): | 220µA |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท: | 400mA |
| คุณลักษณะการควบคุม: | - |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | TLE4274 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TLE4274G V10
ข่าว Latest
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ