TLE4274G V10 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TLE4274G V10، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TLE4274G V10 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TLE4274G V10 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TLE4274G V10
- رقم القطعة:
- TLE4274G V10
- وصف:
- IC REG LIN 10V 400MA TO263-3-1
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56583 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TLE4274G V10.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسرب الجهد (ماكس): | 0.5V @ 250mA |
| الجهد - الإخراج (دقيقة / ثابتة): | 10V |
| الجهد - الإخراج (ماكس): | - |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | 40V |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263-3-1 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100 |
| ميزات الحماية: | Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| PSRR: | 60dB (100Hz) |
| نوع المخرجات: | Fixed |
| تكوين الناتج: | Positive |
| اسماء اخرى: | SP000011798 SP000362359 TLE4274G V10-ND TLE4274G V10TR TLE4274G V10TR-ND TLE4274GV10 TLE4274GV10ATMA1 TLE4274GV10NT TLE4274GV10T TLE4274GV10T-ND TLE4274GV10TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C |
| عدد من المنظمين: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 10V 400mA PG-TO263-3-1 |
| الحالي - توريد (ماكس): | 30mA |
| الحالية - هادئة (Iq): | 220µA |
| الحالي - الناتج: | 400mA |
| ميزات التحكم: | - |
| رقم جزء القاعدة: | TLE4274 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTLE4274G V10
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي