RW1S0BAR200J พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ RW1S0BAR200J เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ RW1S0BAR200J ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RW1S0BAR200J ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
RW1S0BAR200J
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- RW1S0BAR200J
- ผู้ผลิต:
- Ohmite
- ลักษณะ:
- RES 0.2 OHM 5% 1W J LEAD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 37062 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- RW1S0BAR200J.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±5% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | ±90ppm/°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SMD J-Lead, Pedestal |
| ขนาด / มิติ: | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
| ชุด: | RW |
| โหมดแผง: | 200 mOhms |
| เพาเวอร์ (วัตต์): | 1W |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 2512 J-Lead |
| ชื่ออื่น: | RW1S0BAR200JBK |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C |
| จำนวนการยกเลิก: | 2 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.141" (3.58mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Current Sense |
| อัตราความล้มเหลว: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 200 mOhms ±5% 1W Chip Resistor 2512 J-Lead Current Sense Wirewound |
| ส่วนประกอบ: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RW1S0BAR200J
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
RW1S0BAR100J | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR100JT | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR100JE | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR300JE | Ohmite | RES 0.3 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR300J | Ohmite | RES 0.3 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR100FT | Ohmite | RES 0.1 OHM 1% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR240JT | Ohmite | RES 0.24 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR150JT | Ohmite | RES 0.15 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR240J | Ohmite | RES 0.24 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR240JET | Ohmite | RES 0.24 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR200JET | Ohmite | RES 0.2 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR300JET | Ohmite | RES 0.3 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR240JE | Ohmite | RES 0.24 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR200JT | Ohmite | RES 0.2 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR150JE | Ohmite | RES 0.15 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR200JE | Ohmite | RES 0.2 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR100FET | Ohmite | RES 0.1 OHM 1% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR100JET | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR150JET | Ohmite | RES 0.15 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR150J | Ohmite | RES 0.15 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU