RW1S0BAR100JE พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ RW1S0BAR100JE เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ RW1S0BAR100JE ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RW1S0BAR100JE ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
RW1S0BAR100JE
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- RW1S0BAR100JE
- ผู้ผลิต:
- Ohmite
- ลักษณะ:
- RES 0.1 OHM 5% 1W J LEAD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 40447 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- RW1S0BAR100JE.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±5% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | ±90ppm/°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SMD J-Lead, Pedestal |
| ขนาด / มิติ: | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
| ชุด: | RW |
| โหมดแผง: | 100 mOhms |
| เพาเวอร์ (วัตต์): | 1W |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 2512 J-Lead |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C |
| จำนวนการยกเลิก: | 2 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.141" (3.58mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Current Sense |
| อัตราความล้มเหลว: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 100 mOhms ±5% 1W Chip Resistor 2512 J-Lead Current Sense Wirewound |
| ส่วนประกอบ: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RW1S0BAR100JE
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
RW1S0BAR150J | Ohmite | RES 0.15 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR075JT | Ohmite | RES 0.075 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR100FET | Ohmite | RES 0.1 OHM 1% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR050JT | Ohmite | RES 0.05 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR100JT | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR200JET | Ohmite | RES 0.2 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR075JET | Ohmite | RES 0.075 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR100FT | Ohmite | RES 0.1 OHM 1% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR200J | Ohmite | RES 0.2 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR200JT | Ohmite | RES 0.2 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR150JE | Ohmite | RES 0.15 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR150JT | Ohmite | RES 0.15 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR200JE | Ohmite | RES 0.2 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR100FE | Ohmite | RES 0.1 OHM 1% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR150JET | Ohmite | RES 0.15 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR100J | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR075J | Ohmite | RES 0.075 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR075JE | Ohmite | RES 0.075 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR100F | Ohmite | RES 0.1 OHM 1% 1W J LEAD | การสอบสวน |
|
RW1S0BAR100JET | Ohmite | RES 0.1 OHM 5% 1W J LEAD | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด