NTSB20120CT-1G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NTSB20120CT-1G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NTSB20120CT-1G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NTSB20120CT-1G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NTSB20120CT-1G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NTSB20120CT-1G
- ลักษณะ:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 30169 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- NTSB20120CT-1G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด): | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 1 Pair Common Cathode |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | I2PAK |
| ความเร็ว: | 10A |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tube |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| โพลาไรซ์: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| ชื่ออื่น: | NTSB20120CT-1GOS NTSB20120CT1G |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 2 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | NTSB20120CT-1G |
| ขยายคำอธิบาย: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 10A Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| การกำหนดค่าไดโอด: | 700µA @ 120V |
| ลักษณะ: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1.1V @ 10A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode): | 120V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NTSB20120CT-1G
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง