Az NTSB20120CT-1G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az NTSB20120CT-1G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetNTSB20120CT-1Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon NTSB20120CT-1G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
NTSB20120CT-1G
- Cikkszám:
- NTSB20120CT-1G
- Leírás:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 30169 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- NTSB20120CT-1G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Peak Reverse (Max): | Schottky |
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 1 Pair Common Cathode |
| Feszültségelosztás: | I2PAK |
| Sebesség: | 10A |
| Sorozat: | - |
| RoHS állapot: | Tube |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polarizáció: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Más nevek: | NTSB20120CT-1GOS NTSB20120CT1G |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 2 Weeks |
| Gyártási szám: | NTSB20120CT-1G |
| Bővített leírás: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 10A Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Dióda konfiguráció: | 700µA @ 120V |
| Leírás: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 1.1V @ 10A |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként): | 120V |
| Capacitance @ Vr, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NTSB20120CT-1G-hoz
Latest News
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult