ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ไดโอด - Rectifiers - โทนเดียว > JAN1N6626US
JAN1N6626US
รุ่นผลิตภัณฑ์:
JAN1N6626US
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B
สถานะตะกั่วฟรี:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณสต็อค:
50794 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
JAN1N6626US.pdf
การสอบสวน

บทนำ

JAN1N6626US พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ JAN1N6626US เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ JAN1N6626US ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ JAN1N6626US ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:1.35V @ 1.2A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):220V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D-5B
ความเร็ว:Fast Recovery = 200mA (Io)
ชุด:Military, MIL-PRF-19500/590
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):30ns
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SQ-MELF, E
ชื่ออื่น:1086-2303
1086-2303-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-65°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
ประเภทไดโอด:Standard
คำอธิบายโดยละเอียด:Diode Standard 220V 1.75A Surface Mount D-5B
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:2µA @ 220V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):1.75A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ JAN1N6626US

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
JAN1N6626U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF การสอบสวน
JAN1N6629US Image JAN1N6629US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B การสอบสวน
JAN1N6625US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A การสอบสวน
JAN1N6624U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF การสอบสวน
JAN1N6623U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF การสอบสวน
JAN1N6625U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF การสอบสวน
JAN1N6629 Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL การสอบสวน
JAN1N6624US Microsemi DIODE GEN PURP 990V 1A D5A การสอบสวน
JAN1N6623US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1A D5A การสอบสวน
JAN1N6629U Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF การสอบสวน
JAN1N6630 Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL การสอบสวน
JAN1N6625 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL การสอบสวน
JAN1N6624 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL การสอบสวน
JAN1N6628U Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF การสอบสวน
JAN1N6627US Image JAN1N6627US Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B การสอบสวน
JAN1N6628US Image JAN1N6628US Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B การสอบสวน
JAN1N6627U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF การสอบสวน
JAN1N6626 Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL การสอบสวน
JAN1N6627 Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL การสอบสวน
JAN1N6628 Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL การสอบสวน

ข่าว Latest