ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ไดโอด - Rectifiers - โทนเดียว > JAN1N6625U
JAN1N6625U
รุ่นผลิตภัณฑ์:
JAN1N6625U
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF
สถานะตะกั่วฟรี:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณสต็อค:
56484 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
JAN1N6625U.pdf
การสอบสวน

บทนำ

JAN1N6625U พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ JAN1N6625U เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ JAN1N6625U ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ JAN1N6625U ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด):Standard
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:1A
แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย:D-5A
ชุด:Military, MIL-PRF-19500/585
สถานะ RoHS:Bulk
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):Fast Recovery = 200mA (Io)
ต้านทาน @ ถ้า F:-
โพลาไรซ์:SQ-MELF, A
ชื่ออื่น:1086-19975
1086-19975-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:30ns
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:JAN1N6625U
ขยายคำอธิบาย:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A
การกำหนดค่าไดโอด:1µA @ 1000V
ลักษณะ:DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:1.75V @ 1A
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode):1000V (1kV)
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:-65°C ~ 150°C
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ JAN1N6625U

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
JAN1N6623U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF การสอบสวน
JAN1N6623US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1A D5A การสอบสวน
JAN1N6624US Microsemi DIODE GEN PURP 990V 1A D5A การสอบสวน
JAN1N6627 Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL การสอบสวน
JAN1N6626 Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL การสอบสวน
JAN1N6628 Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL การสอบสวน
JAN1N6627US Image JAN1N6627US Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B การสอบสวน
JAN1N6622U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF การสอบสวน
JAN1N6628US Image JAN1N6628US Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B การสอบสวน
JAN1N6628U Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF การสอบสวน
JAN1N6625 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL การสอบสวน
JAN1N6626US Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B การสอบสวน
JAN1N6622US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 660V 2A D5A การสอบสวน
JAN1N6622 Microsemi DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL การสอบสวน
JAN1N6627U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF การสอบสวน
JAN1N6623 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL การสอบสวน
JAN1N6624U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF การสอบสวน
JAN1N6626U Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF การสอบสวน
JAN1N6624 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL การสอบสวน
JAN1N6625US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A การสอบสวน

ข่าว Latest