HC8-2R6-R พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ HC8-2R6-R เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ HC8-2R6-R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ HC8-2R6-R ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
HC8-2R6-R
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- HC8-2R6-R
- ผู้ผลิต:
- Bussmann (Eaton)
- ลักษณะ:
- FIXED IND 2.6UH 10.2A 11.4 MOHM
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 41312 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- HC8-2R6-R.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | Wirewound |
| ความอดทน: | ±20% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.429" L x 0.409" W (10.90mm x 10.40mm) |
| การป้องกัน: | Unshielded |
| ชุด: | HC8 |
| ความนิยม: | - |
| Q @ ความถี่: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Nonstandard |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 155°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| วัสดุ - คอร์: | Iron Powder |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่เหนี่ยวนำ - การทดสอบ: | 100kHz |
| การเหนี่ยวนำ: | 2.6µH |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.157" (4.00mm) |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 2.6µH Unshielded Wirewound Inductor 10.2A 11.4 mOhm Max Nonstandard |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | 11.4 mOhm Max |
| พิกัดกระแส: | 10.2A |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | 17.7A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HC8-2R6-R
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
HC8-3R5-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 3.5UH 8.5A 16.5 MOHM | การสอบสวน |
|
HC8-330-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 33UH 2.7A 154 MOHM SMD | การสอบสวน |
|
HC8-100-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 10UH 5.2A 43.6 MOHM | การสอบสวน |
|
HC8-470-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 47UH 2.2A 237 MOHM SMD | การสอบสวน |
 |
HC85AY-1 | Bourns, Inc. | TEMP REGULATOR NC 85 DEG 2-SMD | การสอบสวน |
|
HC8-8R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 8.2UH 5.5A 39.6 MOHM | การสอบสวน |
 |
HC8LP-100-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 10UH 4.3A 62.9 MOHM | การสอบสวน |
|
HC8-R75-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 750NH 18.8A 3.4 MOHM | การสอบสวน |
|
HC8LP-150-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 15UH 3.4A 99.4 MOHM | การสอบสวน |
|
HC8-220-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 22UH 3.4A 99.5 MOHM | การสอบสวน |
|
HC8-5R6-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 5.6UH 7.3A 26.3 MOHM | การสอบสวน |
|
HC8-150-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 15UH 4.1A 68.6 MOHM | การสอบสวน |
|
HC8-1R9-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1.9UH 12.4A 7.7 MOHM | การสอบสวน |
|
HC8-1R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1.2UH 16A 4.7 MOHM SMD | การสอบสวน |
|
HC8-R15-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 150NH 39A 0.8 MOHM SMD | การสอบสวน |
|
HC8LP-1R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1.2UH 12.4A 7.5 MOHM | การสอบสวน |
|
HC8-4R5-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 4.5UH 8A 18.6 MOHM SMD | การสอบสวน |
|
HC8-6R9-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 6.9UH 6.4A 28.9 MOHM | การสอบสวน |
 |
HC82AY-1 | Bourns, Inc. | TEMP REGULATOR NC 82 DEG 2-SMD | การสอบสวน |
 |
HC8-R39-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 390NH 28.3A 1.55 MOHM | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด