HC8-2R6-R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل HC8-2R6-R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل HC8-2R6-R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء HC8-2R6-R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
HC8-2R6-R
- رقم القطعة:
- HC8-2R6-R
- الصانع:
- Bussmann (Eaton)
- وصف:
- FIXED IND 2.6UH 10.2A 11.4 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41312 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- HC8-2R6-R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.429" L x 0.409" W (10.90mm x 10.40mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | HC8 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 155°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Iron Powder |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 2.6µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.157" (4.00mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 2.6µH Unshielded Wirewound Inductor 10.2A 11.4 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 11.4 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 10.2A |
| الحالي - التشبع: | 17.7A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHC8-2R6-R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
HC8-3R5-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 3.5UH 8.5A 16.5 MOHM | تحقيق |
|
HC8-330-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 33UH 2.7A 154 MOHM SMD | تحقيق |
|
HC8-100-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 10UH 5.2A 43.6 MOHM | تحقيق |
|
HC8-470-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 47UH 2.2A 237 MOHM SMD | تحقيق |
 |
HC85AY-1 | Bourns, Inc. | TEMP REGULATOR NC 85 DEG 2-SMD | تحقيق |
|
HC8-8R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 8.2UH 5.5A 39.6 MOHM | تحقيق |
 |
HC8LP-100-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 10UH 4.3A 62.9 MOHM | تحقيق |
|
HC8-R75-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 750NH 18.8A 3.4 MOHM | تحقيق |
|
HC8LP-150-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 15UH 3.4A 99.4 MOHM | تحقيق |
|
HC8-220-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 22UH 3.4A 99.5 MOHM | تحقيق |
|
HC8-5R6-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 5.6UH 7.3A 26.3 MOHM | تحقيق |
|
HC8-150-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 15UH 4.1A 68.6 MOHM | تحقيق |
|
HC8-1R9-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1.9UH 12.4A 7.7 MOHM | تحقيق |
|
HC8-1R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1.2UH 16A 4.7 MOHM SMD | تحقيق |
|
HC8-R15-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 150NH 39A 0.8 MOHM SMD | تحقيق |
|
HC8LP-1R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1.2UH 12.4A 7.5 MOHM | تحقيق |
|
HC8-4R5-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 4.5UH 8A 18.6 MOHM SMD | تحقيق |
|
HC8-6R9-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 6.9UH 6.4A 28.9 MOHM | تحقيق |
 |
HC82AY-1 | Bourns, Inc. | TEMP REGULATOR NC 82 DEG 2-SMD | تحقيق |
 |
HC8-R39-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 390NH 28.3A 1.55 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل