FODB101V พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ FODB101V เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ FODB101V ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FODB101V ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
FODB101V
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- FODB101V
- ลักษณะ:
- OPTOISO 2.5KV TRANSISTOR 4BGA
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 26447 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- FODB101V.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด): | 75V |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก: | 2500Vrms |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท): | 1.5V (Max) |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด): | 400mV |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type): | 3µs, 5µs |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 4-BGA (3.5x3.5) |
| ชุด: | Microcoupler™ |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 1µs, 5µs |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-TEBGA |
| ประเภทขาออก: | Transistor |
| ชื่ออื่น: | FODB101V_NLCT FODB101V_NLCT-ND FODB101VCT |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนช่อง: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | DC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Optoisolator Transistor Output 2500Vrms 1 Channel 4-BGA (3.5x3.5) |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด): | 100% @ 1mA |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด): | - |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง: | 50mA |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FODB101V
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด