FODB101V متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FODB101V، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FODB101V عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FODB101V مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FODB101V
- رقم القطعة:
- FODB101V
- وصف:
- OPTOISO 2.5KV TRANSISTOR 4BGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26447 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FODB101V.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الإخراج (ماكس): | 75V |
| الجهد - العزلة: | 2500Vrms |
| فولتاج - فوروارد (ف) (تيب): | 1.5V (Max) |
| اصلاحات تشبع (ماكس): | 400mV |
| تشغيل / إيقاف الوقت (الكتابة): | 3µs, 5µs |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-BGA (3.5x3.5) |
| سلسلة: | Microcoupler™ |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 1µs, 5µs |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 4-TEBGA |
| نوع المخرجات: | Transistor |
| اسماء اخرى: | FODB101V_NLCT FODB101V_NLCT-ND FODB101VCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد القنوات: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | DC |
| وصف تفصيلي: | Optoisolator Transistor Output 2500Vrms 1 Channel 4-BGA (3.5x3.5) |
| نسبة نقل الحالية (مين): | 100% @ 1mA |
| نسبة نقل الحالية (ماكس): | - |
| الحالي - إخراج / قناة: | 50mA |
| الحالي - دس إلى الأمام (إذا) (ماكس): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFODB101V
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي