ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ > EPC2101
EPC2101
EPC2101
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EPC2101
ผู้ผลิต:
EPC
ลักษณะ:
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
45989 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
EPC2101.pdf
การสอบสวน

บทนำ

EPC2101 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ EPC2101 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ EPC2101 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EPC2101 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:Die
ชุด:eGaN®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
เพาเวอร์ - แม็กซ์:-
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:Die
ชื่ออื่น:917-1181-2
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
ประเภท FET:2 N-Channel (Half Bridge)
คุณสมบัติ FET:GaNFET (Gallium Nitride)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
คำอธิบายโดยละเอียด:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:9.5A, 38A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2101

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG การสอบสวน
EPC2046ENGRT Image EPC2046ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V การสอบสวน
EPC2040ENGRT Image EPC2040ENGRT EPC TRANS GAN 15V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2045ENGRT Image EPC2045ENGRT EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2102ENGRT Image EPC2102ENGRT EPC MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE การสอบสวน
EPC2100ENG Image EPC2100ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2049ENGRT EPC TRANS GAN 40V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2100ENGRT Image EPC2100ENGRT EPC MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE การสอบสวน
EPC2101ENG Image EPC2101ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2050ENGRT Image EPC2050ENGRT EPC TRANS GAN 350V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2100 Image EPC2100 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID การสอบสวน
EPC2102 Image EPC2102 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG การสอบสวน
EPC2047ENGRT Image EPC2047ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2101ENGRT Image EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID การสอบสวน
EPC2102ENG Image EPC2102ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2051ENGRT Image EPC2051ENGRT EPC TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR การสอบสวน
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG การสอบสวน

ข่าว Latest