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EPC2101
EPC2101
Modèle de produit:
EPC2101
Fabricant:
EPC
La description:
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
45989 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
EPC2101.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Package composant fournisseur:Die
Séries:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Puissance - Max:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:Die
Autres noms:917-1181-2
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9.5A, 38A
Email:[email protected]

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