ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > EPC2014
EPC2014
EPC2014
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EPC2014
ผู้ผลิต:
EPC
ลักษณะ:
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
25899 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
EPC2014.pdf
การสอบสวน

บทนำ

EPC2014 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ EPC2014 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ EPC2014 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EPC2014 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 2mA
Vgs (สูงสุด):+6V, -5V
เทคโนโลยี:GaNFET (Gallium Nitride)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:Die Outline (5-Solder Bar)
ชุด:eGaN®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 5A, 5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):-
บรรจุภัณฑ์:Cut Tape (CT)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:Die
ชื่ออื่น:917-1018-1
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:325pF @ 20V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:2.8nC @ 5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):40V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 40V 10A (Ta) Surface Mount Die Outline (5-Solder Bar)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:10A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2014

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2019ENG Image EPC2019ENG EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2001 Image EPC2001 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2007 Image EPC2007 EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2012C Image EPC2012C EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2007C Image EPC2007C EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2010C Image EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2010 Image EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2012 Image EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE การสอบสวน

ข่าว Latest