CDRH6D28NP-820NC พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CDRH6D28NP-820NC เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CDRH6D28NP-820NC ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CDRH6D28NP-820NC ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CDRH6D28NP-820NC
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CDRH6D28NP-820NC
- ผู้ผลิต:
- Sumida Corporation
- ลักษณะ:
- FIXED IND 82UH 600MA 390 MOHM
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 35339 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- CDRH6D28NP-820NC.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | - |
| การใช้: | Shielded |
| ชนิด: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.264" L x 0.264" W (6.70mm x 6.70mm) |
| ชุด: | CDRH6D28 |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Nonstandard |
| ชื่ออื่น: | 308-1501-2 CDRH6D28NP820NC |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 100°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 11 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | CDRH6D28NP-820NC |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.118" (3.00mm) |
| ประเภทอุปกรณ์: | 82µH |
| ความถี่ - การทดสอบ: | - |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 390 mOhm Max |
| ขยายคำอธิบาย: | 82µH Shielded Inductor 600mA 390 mOhm Max Nonstandard |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±30% |
| เส้นผ่าศูนย์กลาง - ไหล่: | - |
| ลักษณะ: | FIXED IND 82UH 600MA 390 MOHM |
| ระยะเวลาที่ล่าช้า: | 100kHz |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | - |
| พิกัดกระแส: | 600mA |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CDRH6D28NP-820NC
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่