CDRH6D28NP-820NC متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CDRH6D28NP-820NC، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CDRH6D28NP-820NC عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CDRH6D28NP-820NC مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CDRH6D28NP-820NC
- رقم القطعة:
- CDRH6D28NP-820NC
- الصانع:
- Sumida Corporation
- وصف:
- FIXED IND 82UH 600MA 390 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35339 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CDRH6D28NP-820NC.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - انهيار: | - |
| استعمال: | Shielded |
| اكتب: | - |
| حجم / البعد: | 0.264" L x 0.264" W (6.70mm x 6.70mm) |
| سلسلة: | CDRH6D28 |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 308-1501-2 CDRH6D28NP820NC |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 100°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CDRH6D28NP-820NC |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.118" (3.00mm) |
| نوع الأجهزة: | 82µH |
| تردد - اختبار: | - |
| تردد - الذاتي الرنين: | 390 mOhm Max |
| وصف موسع: | 82µH Shielded Inductor 600mA 390 mOhm Max Nonstandard |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±30% |
| قطر - الكتف: | - |
| وصف: | FIXED IND 82UH 600MA 390 MOHM |
| وقت التأخير: | 100kHz |
| DC المقاومة (DCR): | - |
| التصويت الحالي: | 600mA |
| الحالي - التشبع: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCDRH6D28NP-820NC
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة