B43888P2686M000 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ B43888P2686M000 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ B43888P2686M000 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ B43888P2686M000 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
B43888P2686M000
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- B43888P2686M000
- ผู้ผลิต:
- EPCOS
- ลักษณะ:
- CAP ALUM 68UF 20% 200V RADIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 45636 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- B43888P2686M000.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 200V |
| ความอดทน: | ±20% |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.787" Dia (20.00mm) |
| ชุด: | B43888 |
| กระแส Ripple @ ความถี่สูง: | 950mA @ 100kHz |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Polar |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial, Can |
| ชื่ออื่น: | B43888P2686M B43888P2686M-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | - |
| เว้นพื้นที่ตัวนำ: | 0.394" (10.00mm) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.866" (22.00mm) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | 4.9 Ohm @ 120Hz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 68µF 200V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 4.9 Ohm @ 120Hz |
| ปริมาตร: | 68µF |
| การประยุกต์ใช้งาน: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ B43888P2686M000
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
B43890A4156M000 | EPCOS | CAP ALUM 15UF 20% 350V RADIAL | การสอบสวน |
|
B43888P2107M000 | EPCOS | CAP ALUM 100UF 20% 250V RADIAL | การสอบสวน |
|
B43888G5226M002 | EPCOS | CAP ALUM RADIAL | การสอบสวน |
|
B43888G5226M004 | EPCOS | CAP ALUM RADIAL | การสอบสวน |
|
B43888G5226M003 | EPCOS | CAP ALUM RADIAL | การสอบสวน |
|
B43890A4226M000 | EPCOS | CAP ALUM 22UF 20% 350V RADIAL | การสอบสวน |
|
B43890A4106M000 | EPCOS | CAP ALUM 10UF 20% 350V RADIAL | การสอบสวน |
|
B43888P2476M000 | EPCOS | CAP ALUM 47UF 20% 200V RADIAL | การสอบสวน |
|
B43890A4476M | EPCOS | CAP ALUM 47UF 20% 350V RADIAL | การสอบสวน |
|
B43888G5226M000 | EPCOS | CAP ALUM RADIAL | การสอบสวน |
|
B43890A5156M000 | EPCOS | CAP ALUM 15UF 20% 450V RADIAL | การสอบสวน |
|
B43888K2686M000 | EPCOS | CAP ALUM 68UF 20% 200V RADIAL | การสอบสวน |
|
B43888G5226M001 | EPCOS | CAP ALUM RADIAL | การสอบสวน |
|
B43888K2107M000 | EPCOS | CAP ALUM 100UF 20% 250V RADIAL | การสอบสวน |
|
B43890A4336M | EPCOS | CAP ALUM 33UF 20% 350V RADIAL | การสอบสวน |
|
B43890A4685M | EPCOS | CAP ALUM 6.8UF 20% 350V RADIAL | การสอบสวน |
|
B43888G5226M008 | EPCOS | CAP ALUM RADIAL | การสอบสวน |
|
B43890A5226M000 | EPCOS | CAP ALUM 22UF 20% 450V RADIAL | การสอบสวน |
|
B43890A4686M | EPCOS | CAP ALUM 68UF 20% 350V RADIAL | การสอบสวน |
|
B43890A5106M000 | EPCOS | CAP ALUM 10UF 20% 450V RADIAL | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS