B43888P2686M000 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro B43888P2686M000, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro B43888P2686M000 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si B43888P2686M000 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
B43888P2686M000
- Part Number:
- B43888P2686M000
- Výrobce:
- EPCOS
- Popis:
- CAP ALUM 68UF 20% 200V RADIAL
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 45636 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- B43888P2686M000.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Jmenovitá: | 200V |
| Tolerance: | ±20% |
| Povrchová montáž Land Velikost: | - |
| Velikost / Rozměry: | 0.787" Dia (20.00mm) |
| Série: | B43888 |
| Ripple Current @ Vysoká frekvence: | 950mA @ 100kHz |
| hodnocení: | - |
| Polarizace: | Polar |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Radial, Can |
| Ostatní jména: | B43888P2686M B43888P2686M-ND |
| Provozní teplota: | - |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Životnost @ Temp.: | - |
| Rozestup vývodù: | 0.394" (10.00mm) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Výška - Sedící (Max): | 0.866" (22.00mm) |
| ESR (Equivalent Resistance Series): | 4.9 Ohm @ 120Hz |
| Detailní popis: | 68µF 200V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 4.9 Ohm @ 120Hz |
| kapacitní: | 68µF |
| Aplikace: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro B43888P2686M000
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
B43890A4156M000 | EPCOS | CAP ALUM 15UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43888P2107M000 | EPCOS | CAP ALUM 100UF 20% 250V RADIAL | Dotaz |
|
B43888G5226M002 | EPCOS | CAP ALUM RADIAL | Dotaz |
|
B43888G5226M004 | EPCOS | CAP ALUM RADIAL | Dotaz |
|
B43888G5226M003 | EPCOS | CAP ALUM RADIAL | Dotaz |
|
B43890A4226M000 | EPCOS | CAP ALUM 22UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43890A4106M000 | EPCOS | CAP ALUM 10UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43888P2476M000 | EPCOS | CAP ALUM 47UF 20% 200V RADIAL | Dotaz |
|
B43890A4476M | EPCOS | CAP ALUM 47UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43888G5226M000 | EPCOS | CAP ALUM RADIAL | Dotaz |
|
B43890A5156M000 | EPCOS | CAP ALUM 15UF 20% 450V RADIAL | Dotaz |
|
B43888K2686M000 | EPCOS | CAP ALUM 68UF 20% 200V RADIAL | Dotaz |
|
B43888G5226M001 | EPCOS | CAP ALUM RADIAL | Dotaz |
|
B43888K2107M000 | EPCOS | CAP ALUM 100UF 20% 250V RADIAL | Dotaz |
|
B43890A4336M | EPCOS | CAP ALUM 33UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43890A4685M | EPCOS | CAP ALUM 6.8UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43888G5226M008 | EPCOS | CAP ALUM RADIAL | Dotaz |
|
B43890A5226M000 | EPCOS | CAP ALUM 22UF 20% 450V RADIAL | Dotaz |
|
B43890A4686M | EPCOS | CAP ALUM 68UF 20% 350V RADIAL | Dotaz |
|
B43890A5106M000 | EPCOS | CAP ALUM 10UF 20% 450V RADIAL | Dotaz |
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS