ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT75GN120B2G
APT75GN120B2G
APT75GN120B2G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT75GN120B2G
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 1200V 200A 833W TMAX
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
42251 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APT75GN120B2G.pdf2.APT75GN120B2G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT75GN120B2G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT75GN120B2G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT75GN120B2G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT75GN120B2G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.1V @ 15V, 75A
ทดสอบสภาพ:800V, 75A, 1 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:60ns/620ns
การสลับพลังงาน:8045µJ (on), 7640µJ (off)
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:833W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3 Variant
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:Trench Field Stop
ค่าใช้จ่ายประตู:425nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):225A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):200A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT75GN120B2G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT75GP120J Image APT75GP120J Microsemi IGBT 1200V 128A 543W SOT227 การสอบสวน
APT75DQ120BG Image APT75DQ120BG Microsemi DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 การสอบสวน
APT75GP120JDQ3 Image APT75GP120JDQ3 Microsemi IGBT 1200V 128A 543W SOT227 การสอบสวน
APT75GN120JDQ3G Image APT75GN120JDQ3G Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 การสอบสวน
APT75DQ60BG Image APT75DQ60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 การสอบสวน
APT70SM70J Microsemi POWER MOSFET - SIC การสอบสวน
APT70SM70S Microsemi POWER MOSFET - SIC การสอบสวน
APT75GN60B2DQ3G Image APT75GN60B2DQ3G Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO264 การสอบสวน
APT75GN120J Image APT75GN120J Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 การสอบสวน
APT75DF170HJ Image APT75DF170HJ Microsemi MOD DIODE 1700V SOT-227 การสอบสวน
APT75F50B2 Image APT75F50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 การสอบสวน
APT75GN60BG Image APT75GN60BG Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO247 การสอบสวน
APT75F50L Image APT75F50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 การสอบสวน
APT75GN120JDQ3 Image APT75GN120JDQ3 Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 การสอบสวน
APT75GN120LG Image APT75GN120LG Microsemi IGBT 1200V 200A 833W TO264 การสอบสวน
APT75DL60HJ Image APT75DL60HJ Microsemi MOD DIODE 600V SOT-227 การสอบสวน
APT75GP120B2G Image APT75GP120B2G Microsemi IGBT 1200V 100A 1042W TMAX การสอบสวน
APT75DQ100BG Image APT75DQ100BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 การสอบสวน
APT75DL120HJ Image APT75DL120HJ Microsemi MOD DIODE 1200V SOT-227 การสอบสวน
APT75GN60LDQ3G Image APT75GN60LDQ3G Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO264 การสอบสวน

ข่าว Latest