ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT150GN60LDQ4G
APT150GN60LDQ4G
APT150GN60LDQ4G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT150GN60LDQ4G
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 600V 220A 536W TO-264L
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
51604 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT150GN60LDQ4G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT150GN60LDQ4G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT150GN60LDQ4G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT150GN60LDQ4G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT150GN60LDQ4G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:1.85V @ 15V, 150A
ทดสอบสภาพ:400V, 150A, 1 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:44ns/430ns
การสลับพลังงาน:8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-264 [L]
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:536W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-264-3, TO-264AA
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:32 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:Trench Field Stop
ค่าใช้จ่ายประตู:970nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole TO-264 [L]
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):450A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):220A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT150GN60LDQ4G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT14F100S Image APT14F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK การสอบสวน
APT150GN60J Image APT150GN60J Microsemi IGBT 600V 220A 536W SOT227 การสอบสวน
APT15D120KG Microsemi DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220 การสอบสวน
APT150GN60B2G Image APT150GN60B2G Microsemi IGBT 600V 220A 536W SOT227 การสอบสวน
APT150GN120J Image APT150GN120J Microsemi IGBT 1200V 215A 625W SOT227 การสอบสวน
APT15D30KG Image APT15D30KG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2 การสอบสวน
APT14M100B Image APT14M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 การสอบสวน
APT150GN120JDQ4 Image APT150GN120JDQ4 Microsemi IGBT 1200V 215A 625W SOT227 การสอบสวน
APT15D100BCTG Image APT15D100BCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 การสอบสวน
APT150GN60JDQ4 Image APT150GN60JDQ4 Microsemi IGBT 600V 220A 536W SOT227 การสอบสวน
APT150GT120JR Image APT150GT120JR Microsemi IGBT 1200V 170A 830W SOT227 การสอบสวน
APT14M100S Image APT14M100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK การสอบสวน
APT14F100B Image APT14F100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 การสอบสวน
APT15D120BG Image APT15D120BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247 การสอบสวน
APT15D100BG Image APT15D100BG Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 การสอบสวน
APT15D100BHBG Image APT15D100BHBG Microsemi DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 การสอบสวน
APT15D100KG Image APT15D100KG Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 การสอบสวน
APT15D40BCTG Image APT15D40BCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247 การสอบสวน
APT15D120BCTG Image APT15D120BCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 การสอบสวน
APT14M120B Image APT14M120B Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 การสอบสวน

ข่าว Latest