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APT150GN60LDQ4G
- Modello di prodotti:
- APT150GN60LDQ4G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 220A 536W TO-264L
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 51604 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT150GN60LDQ4G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 1.85V @ 15V, 150A |
| Condizione di test: | 400V, 150A, 1 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 44ns/430ns |
| di scambio energetico: | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-264 [L] |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 536W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-264-3, TO-264AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | Trench Field Stop |
| carica gate: | 970nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole TO-264 [L] |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 450A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 220A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT150GN60LDQ4G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT14F100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | Inchiesta |
 |
APT150GN60J | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT15D120KG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220 | Inchiesta |
 |
APT150GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Inchiesta |
|
APT150GN120J | Microsemi | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT15D30KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2 | Inchiesta |
 |
APT14M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Inchiesta |
|
APT15D100BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Inchiesta |
|
APT150GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Inchiesta |
|
APT150GT120JR | Microsemi | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT14M100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | Inchiesta |
|
APT14F100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT15D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247 | Inchiesta |
|
APT15D100BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | Inchiesta |
|
APT15D100BHBG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Inchiesta |
 |
APT15D100KG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | Inchiesta |
|
APT15D40BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247 | Inchiesta |
|
APT15D120BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | Inchiesta |
|
APT14M120B | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 | Inchiesta |
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