2N3563 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 2N3563 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 2N3563 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 2N3563 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
2N3563
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 2N3563
- ผู้ผลิต:
- Central Semiconductor
- ลักษณะ:
- TRANSISTOR NPN TO-106
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 32436 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 2N3563.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 12V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | NPN |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-106 |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-106-3 Domed |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 600MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 600MHz Through Hole TO-106 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 20 @ 8mA, 10V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 50nA (ICBO) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 2N3563
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
2N3507U4 | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | การสอบสวน |
|
2N3584 | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | การสอบสวน |
 |
2N3584 | Central Semiconductor | TRANS NPN 250V 2A TO-66 | การสอบสวน |
|
2N3583 | Central Semiconductor | TRANS NPN 175V 1A TO-66 | การสอบสวน |
|
2N3506AL | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | การสอบสวน |
|
2N3634 | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | การสอบสวน |
 |
2N3501L | Microsemi | TRANS NPN 150V 0.3A TO-5 | การสอบสวน |
|
2N3585 | Central Semiconductor | TRANS NPN 300V 2A TO-66 | การสอบสวน |
|
2N3634L | Microsemi | TRANS PNP 140V 1A | การสอบสวน |
|
2N3506L | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | การสอบสวน |
 |
2N3501UB | Microsemi | TRANS NPN 150V 0.3A | การสอบสวน |
|
2N3634UB | Microsemi | TRANS PNP 140V 1A | การสอบสวน |
 |
2N3565 | Central Semiconductor | TRANSISTOR NPN TO-106 | การสอบสวน |
|
2N3507AU4 | Microsemi | NPN TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
2N3506A | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | การสอบสวน |
|
2N3564 | Central Semiconductor | TRANSISTOR NPN TO-106 | การสอบสวน |
|
2N3507L | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | การสอบสวน |
|
2N3507 | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | การสอบสวน |
|
2N3507AL | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | การสอบสวน |
|
2N3585 | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์