2N3563 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 2N3563، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 2N3563 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 2N3563 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
2N3563
- رقم القطعة:
- 2N3563
- الصانع:
- Central Semiconductor
- وصف:
- TRANSISTOR NPN TO-106
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 32436 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 2N3563.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 12V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | - |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-106 |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-106-3 Domed |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 600MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 600MHz Through Hole TO-106 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 20 @ 8mA, 10V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 50nA (ICBO) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2N3563
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2N3507U4 | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | تحقيق |
|
2N3584 | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | تحقيق |
 |
2N3584 | Central Semiconductor | TRANS NPN 250V 2A TO-66 | تحقيق |
|
2N3583 | Central Semiconductor | TRANS NPN 175V 1A TO-66 | تحقيق |
|
2N3506AL | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | تحقيق |
|
2N3634 | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | تحقيق |
 |
2N3501L | Microsemi | TRANS NPN 150V 0.3A TO-5 | تحقيق |
|
2N3585 | Central Semiconductor | TRANS NPN 300V 2A TO-66 | تحقيق |
|
2N3634L | Microsemi | TRANS PNP 140V 1A | تحقيق |
|
2N3506L | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | تحقيق |
 |
2N3501UB | Microsemi | TRANS NPN 150V 0.3A | تحقيق |
|
2N3634UB | Microsemi | TRANS PNP 140V 1A | تحقيق |
 |
2N3565 | Central Semiconductor | TRANSISTOR NPN TO-106 | تحقيق |
|
2N3507AU4 | Microsemi | NPN TRANSISTOR | تحقيق |
|
2N3506A | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | تحقيق |
|
2N3564 | Central Semiconductor | TRANSISTOR NPN TO-106 | تحقيق |
|
2N3507L | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | تحقيق |
|
2N3507 | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | تحقيق |
|
2N3507AL | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | تحقيق |
|
2N3585 | Microsemi | NPN POWER SILICON TRANSISTORS | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي