ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ไดโอด - Rectifiers - โทนเดียว > 1N5554
1N5554
1N5554
รุ่นผลิตภัณฑ์:
1N5554
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
สถานะตะกั่วฟรี:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณสต็อค:
52707 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1N5554.pdf
การสอบสวน

บทนำ

1N5554 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 1N5554 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 1N5554 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 1N5554 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:1.2V @ 9A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):1000V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:-
ความเร็ว:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ชุด:-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):2µs
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:B, Axial
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-65°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:7 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
ประเภทไดโอด:Standard
คำอธิบายโดยละเอียด:Diode Standard 1000V 3A Through Hole
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:1µA @ 1000V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):3A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 1N5554

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
1N5553 Semtech DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL การสอบสวน
1N5552 Image 1N5552 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL การสอบสวน
1N5615GP-E3/54 Image 1N5615GP-E3/54 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC การสอบสวน
1N5615 Image 1N5615 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL การสอบสวน
1N5614GP-E3/73 Image 1N5614GP-E3/73 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC การสอบสวน
1N5554US Semtech DIODE GEN PURP 1KV 5A การสอบสวน
1N5614 Image 1N5614 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL การสอบสวน
1N5614US Image 1N5614US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D5A การสอบสวน
1N5552US Image 1N5552US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 3A D5B การสอบสวน
1N5554C.TR Image 1N5554C.TR Semtech DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL การสอบสวน
1N5554US Image 1N5554US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF การสอบสวน
1N5553 Image 1N5553 Microsemi DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL การสอบสวน
1N5553C.TR Semtech DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL การสอบสวน
1N5553US Semtech DIODE GEN PURP 800V 5A การสอบสวน
1N5614GPHE3/54 Image 1N5614GPHE3/54 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC การสอบสวน
1N5552 Semtech DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL การสอบสวน
1N5553US Image 1N5553US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF การสอบสวน
1N5614GP-E3/54 Image 1N5614GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC การสอบสวน
1N5554 Semtech DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL การสอบสวน
1N5552C.TR Image 1N5552C.TR Semtech DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL การสอบสวน

ข่าว Latest