1N5554US พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 1N5554US เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 1N5554US ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 1N5554US ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
1N5554US
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 1N5554US
- ผู้ผลิต:
- Semtech
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 1KV 5A
- ปริมาณสต็อค:
- 47720 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1N5554US.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1V @ 3A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 1000V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ความเร็ว: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 2µs |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SQ-MELF |
| ชื่ออื่น: | 1N5554USS |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Standard 1000V 5A Surface Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1µA @ 1000V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 5A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | 92pF @ 5V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 1N5554US
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5615 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | การสอบสวน |
 |
1N5553 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL | การสอบสวน |
 |
1N5614GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | การสอบสวน |
|
1N5614GP-E3/73 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | การสอบสวน |
 |
1N5614US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | การสอบสวน |
|
1N5615GP-E3/54 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | การสอบสวน |
 |
1N5554US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF | การสอบสวน |
 |
1N5553C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL | การสอบสวน |
 |
1N5554C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL | การสอบสวน |
|
1N5553 | Semtech | DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL | การสอบสวน |
|
1N5553US | Semtech | DIODE GEN PURP 800V 5A | การสอบสวน |
|
1N5554 | Semtech | DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL | การสอบสวน |
|
1N5615GP-E3/73 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | การสอบสวน |
|
1N5614GPHE3/54 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | การสอบสวน |
|
1N5614 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | การสอบสวน |
 |
1N5554 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL | การสอบสวน |
|
1N5553US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF | การสอบสวน |
|
1N5552C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL | การสอบสวน |
 |
1N5552US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | การสอบสวน |
|
1N5615GPHE3/54 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU