TK62N60W,S1VF
TK62N60W,S1VF
Тип продуктов:
TK62N60W,S1VF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
45204 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
TK62N60W,S1VF.pdf

Введение

TK62N60W,S1VF теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для TK62N60W,S1VF, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для TK62N60W,S1VF по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить TK62N60W,S1VF с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:3.7V @ 3.1mA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-247
Серии:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:40 mOhm @ 30.9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):400W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3
Другие названия:TK62N60W,S1VF(S
TK62N60WS1VF
Рабочая Температура:150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:6500pF @ 300V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:180nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:Super Junction
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):600V
Подробное описание:N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:61.8A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости