TK62N60W,S1VF
TK62N60W,S1VF
رقم القطعة:
TK62N60W,S1VF
الصانع:
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
45204 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
TK62N60W,S1VF.pdf

المقدمة

TK62N60W,S1VF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TK62N60W,S1VF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TK62N60W,S1VF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TK62N60W,S1VF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.7V @ 3.1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247
سلسلة:DTMOSIV
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:40 mOhm @ 30.9A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):400W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
اسماء اخرى:TK62N60W,S1VF(S
TK62N60WS1VF
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:6500pF @ 300V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:180nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Super Junction
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف تفصيلي:N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:61.8A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

Latest الأخبار