SIE812DF-T1-E3
SIE812DF-T1-E3
Тип продуктов:
SIE812DF-T1-E3
производитель:
Vishay / Siliconix
Описание:
MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
32564 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
SIE812DF-T1-E3.pdf

Введение

SIE812DF-T1-E3 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для SIE812DF-T1-E3, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SIE812DF-T1-E3 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить SIE812DF-T1-E3 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Напряжение - испытания:8300pF @ 20V
Напряжение - Разбивка:10-PolarPAK® (L)
Vgs (й) (Max) @ Id:2.6 mOhm @ 25A, 10V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Серии:TrenchFET®
Статус RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:60A (Tc)
поляризация:10-PolarPAK® (L)
Другие названия:SIE812DF-T1-E3TR
SIE812DFT1E3
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:24 Weeks
Номер детали производителя:SIE812DF-T1-E3
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:170nC @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:3V @ 250µA
FET Характеристика:N-Channel
Расширенное описание:N-Channel 40V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Слить к источнику напряжения (VDSS):-
Описание:MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:40V
Коэффициент емкости:5.2W (Ta), 125W (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости