SIE812DF-T1-E3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SIE812DF-T1-E3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SIE812DF-T1-E3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SIE812DF-T1-E3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SIE812DF-T1-E3
- Part Number:
- SIE812DF-T1-E3
- Výrobce:
- Vishay / Siliconix
- Popis:
- MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 32564 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SIE812DF-T1-E3.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 8300pF @ 20V |
| Napětí - Rozdělení: | 10-PolarPAK® (L) |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | TrenchFET® |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 60A (Tc) |
| Polarizace: | 10-PolarPAK® (L) |
| Ostatní jména: | SIE812DF-T1-E3TR SIE812DFT1E3 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 24 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | SIE812DF-T1-E3 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 170nC @ 10V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 3V @ 250µA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Rozšířený popis: | N-Channel 40V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | - |
| Popis: | MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 40V |
| kapacitní Ratio: | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SIE812DF-T1-E3
Latest News
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory