Az SIE812DF-T1-E3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SIE812DF-T1-E3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSIE812DF-T1-E3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SIE812DF-T1-E3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
SIE812DF-T1-E3
- Cikkszám:
- SIE812DF-T1-E3
- Gyártó:
- Vishay / Siliconix
- Leírás:
- MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 32564 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- SIE812DF-T1-E3.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - teszt: | 8300pF @ 20V |
| Feszültségelosztás: | 10-PolarPAK® (L) |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Sorozat: | TrenchFET® |
| RoHS állapot: | Tape & Reel (TR) |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 60A (Tc) |
| Polarizáció: | 10-PolarPAK® (L) |
| Más nevek: | SIE812DF-T1-E3TR SIE812DFT1E3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 24 Weeks |
| Gyártási szám: | SIE812DF-T1-E3 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 170nC @ 10V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 3V @ 250µA |
| FET funkció: | N-Channel |
| Bővített leírás: | N-Channel 40V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | - |
| Leírás: | MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 40V |
| Kapacitásarány: | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SIE812DF-T1-E3-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos