PHK12NQ10T,518 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для PHK12NQ10T,518, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для PHK12NQ10T,518 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить PHK12NQ10T,518 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
PHK12NQ10T,518
- Тип продуктов:
- PHK12NQ10T,518
- производитель:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Описание:
- MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 23086 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- PHK12NQ10T,518.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | 8-SO |
| Серии: | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 8.9W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Другие названия: | 934057347518 PHK12NQ10T /T3 PHK12NQ10T /T3-ND |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 2 (1 Year) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1965pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 100V |
| Подробное описание: | N-Channel 100V 11.6A (Tc) 8.9W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 11.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для PHK12NQ10T,518
Latest Новости
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки
- Вишай запускает мини -упаковку высокой яркости маленький синий и чистый зеленый светодиод
- Ansonmei запустил индуктивный датчик положения для промышленного и транспортного рынка
- Ruisa начинает старую фабрику, чтобы увеличить силовое устройство, землетрясение влияет
- Microchip позволяет производственную мощность TSMC и увеличивает повышение цены.
- Ruisa запустила новую серию RA0 Ultra -Low Power Intry -Level MCU
- Melexis запускает полную чип индуктора индуктора