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PHK12NQ10T,518
- Artikelnummer:
- PHK12NQ10T,518
- Hersteller:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 23086 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- PHK12NQ10T,518.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SO |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 8.9W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | 934057347518 PHK12NQ10T /T3 PHK12NQ10T /T3-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 2 (1 Year) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1965pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 11.6A (Tc) 8.9W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 11.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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