DG3257DN-T1-GE4 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для DG3257DN-T1-GE4, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для DG3257DN-T1-GE4 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить DG3257DN-T1-GE4 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
DG3257DN-T1-GE4
- Тип продуктов:
- DG3257DN-T1-GE4
- производитель:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Описание:
- IC ANALOG SWITCH 6UDFN
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 34581 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- DG3257DN-T1-GE4.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение питания, одиночное (V +): | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Напряжение питания, двойное (В ±): | - |
| Время переключения (Ton, Toff) (макс.): | 50ns, 45ns |
| Цепь переключателя: | SPDT |
| Поставщик Упаковка устройства: | 6-UDFN (1x1) |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 6-XFDFN |
| Другие названия: | DG3257DN-T1-GE4TR |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Сопротивление в открытом состоянии (макс.): | 6 Ohm |
| Количество контуров: | 1 |
| Схема мультиплексора / демультиплексора: | 2:1 |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 16 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | 1 Circuit IC Switch 2:1 6 Ohm 6-UDFN (1x1) |
| Ток утечки (IS (выкл.)) (Макс.): | - |
| Перекрестная: | -32dB @ 240MHz |
| Инжекция заряда: | 4pC |
| Согласование между каналами (ΔRon): | 600 mOhm |
| Емкость канала (CS (выкл.), CD (выкл.)): | 3pF, 9pF |
| Пропускная способность -3db: | 714MHz |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для DG3257DN-T1-GE4
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки