DG3257DN-T1-GE4 je dostupan sada!LYNTEAM Technology je distributer čarapa za DG3257DN-T1-GE4, imamo zalihe za trenutnu dostavu i dostupnu za dugo vremena.Pošaljite nam plan kupnje za DG3257DN-T1-GE4 putem e-pošte, mi ćemo vam dati najbolju cijenu prema vašem planu.
Kupi DG3257DN-T1-GE4 s LYNTEAM, spremite novac i vrijeme.
Naša e-mail: [email protected]
DG3257DN-T1-GE4
- Dio brojeva:
- DG3257DN-T1-GE4
- Proizvođač:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- IC ANALOG SWITCH 6UDFN
- Status slobodnog vođenja:
- Bez olova / RoHS sukladni
- Količina zaliha:
- 34581 Pieces
- Vrijeme isporuke:
- 1-2 days
- Olovo vrijeme:
- 4-8 weeks
- Obrazac podataka:
- DG3257DN-T1-GE4.pdf
Uvod
Tehnički podaci
| Stanje | New & Original, tested |
|---|---|
| Zemlja podrijetla | Contact us |
| Oznaka za označavanje | Send by email |
| Napajanje, pojedinačni (V +): | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Napajanje, Dual (V ±): | - |
| Vrijeme prebacivanja (ton, tof) (maks.): | 50ns, 45ns |
| Circuit prekidača: | SPDT |
| Paket uređaja za dobavljače: | 6-UDFN (1x1) |
| Niz: | - |
| Ambalaža: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / slučaj: | 6-XFDFN |
| Druga imena: | DG3257DN-T1-GE4TR |
| Radna temperatura: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Otpornost na stanje (maks.): | 6 Ohm |
| Broj strujnih krugova: | 1 |
| Krug multipleksora / demultipleksora: | 2:1 |
| Razina osjetljivosti vlage (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Proizvođač Standardno vrijeme dovršetka: | 16 Weeks |
| Status slobodnog olova / RoHS-a: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detaljan opis: | 1 Circuit IC Switch 2:1 6 Ohm 6-UDFN (1x1) |
| Struja - propuštanje (IS (isključeno)) (maks.): | - |
| preslušavanja: | -32dB @ 240MHz |
| Injekcija punjenja: | 4pC |
| Podudaranje kanala na kanal (ΔRon): | 600 mOhm |
| Kapacitet kanala (CS (isključeno), CD (isključeno)): | 3pF, 9pF |
| -3 dB Širina pojasa: | 714MHz |
| Email: | [email protected] |
Povezani dijelovi za DG3257DN-T1-GE4
Najnovije vijesti
- Kapacitet za proizvodnju HBM -a je isključen, DRAM memorija može biti u manjku u drugoj polovici godine
- Osnivači zidova završit će, HBM ili uzrokovati da se DRAM ponovno poveća
- AI potražnja za proširenjem mobilnih telefona i računala, Poboljšanje industrije za globalnu industriju poluvodiča
- Shvatite potrebe ADAS -a i sustava za nadzor kabine za senzore mrežnih sigurnosnih slika
- Šuška se da su Samsung i Sk Hynix zaustavili DDR3, a citat promocije porastao za 20 %
- Melexis je objavio MLX90427: Kontrola linija do novog izbora, sigurnih, učinkovitih i ekonomičnih
- Najavljeno je financijsko izvješće NXP i Ansonmei, a cijena cijene bakra prenosi se IC industriji
- Moels Micro Electronics postavio je nove urede u Tajvanu u Kini kako bi proširio poslovni teritorij
- Izvedba Texas Instruments još uvijek treba pojačati, a dvije tvornice za pohranu guraju nove flash memorijske proizvode
- Financijsko izvješće u prvom tromjesečju smanjuje se SEF Semiconductor (ST), a potražnja za automobilima je usporila
- Izvedba Texas Instruments još uvijek treba pojačati, a dvije tvornice za pohranu guraju nove flash memorijske proizvode
- Lokalni volumen zrelog čipa, Samsung NAND Flash memorija Proizvodnja kapaciteta u blizini opterećenja