APTM120DA56T1G теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для APTM120DA56T1G, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для APTM120DA56T1G по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить APTM120DA56T1G с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
APTM120DA56T1G
- Тип продуктов:
- APTM120DA56T1G
- производитель:
- Microsemi
- Описание:
- MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 30583 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- APTM120DA56T1G.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (макс.): | ±30V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | SP1 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 672 mOhm @ 14A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 390W (Tc) |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | SP1 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Chassis Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 7736pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 300nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 1200V |
| Подробное описание: | N-Channel 1200V 18A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для APTM120DA56T1G
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM120A15FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 | запрос |
|
APTM120DA30T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 | запрос |
|
APTM120SK15G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 | запрос |
|
APTM120DSK57T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 | запрос |
|
APTM120DA68T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 | запрос |
|
APTM120A29FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 | запрос |
|
APTM120A20SG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 | запрос |
|
APTM120A20DG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 | запрос |
 |
APTM120DA30CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 | запрос |
|
APTM120A80FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 | запрос |
 |
APTM120H140FT1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 | запрос |
 |
APTM120DU15G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 | запрос |
|
APTM120DA29TG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 | запрос |
|
APTM120DA15G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 | запрос |
|
APTM120H57FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 | запрос |
|
APTM120DDA57T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 | запрос |
|
APTM120H57FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 | запрос |
 |
APTM120H29FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6 | запрос |
|
APTM120DU29TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 | запрос |
|
APTM120A65FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 | запрос |
Latest Новости
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки
- Вишай запускает мини -упаковку высокой яркости маленький синий и чистый зеленый светодиод
- Ansonmei запустил индуктивный датчик положения для промышленного и транспортного рынка
- Ruisa начинает старую фабрику, чтобы увеличить силовое устройство, землетрясение влияет
- Microchip позволяет производственную мощность TSMC и увеличивает повышение цены.
- Ruisa запустила новую серию RA0 Ultra -Low Power Intry -Level MCU
- Melexis запускает полную чип индуктора индуктора
- X-FAB вводит технологию освещения датчика изображения для повышения производительности датчика CMOS