Το APTM120DA56T1G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APTM120DA56T1G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APTM120DA56T1G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APTM120DA56T1G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APTM120DA56T1G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APTM120DA56T1G
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 30583 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APTM120DA56T1G.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SP1 |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 672 mOhm @ 14A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 390W (Tc) |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SP1 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 7736pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 300nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 1200V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 1200V 18A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APTM120DA56T1G
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM120A15FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120DA30T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 | Έρευνα |
|
APTM120SK15G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120DSK57T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 | Έρευνα |
|
APTM120DA68T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 | Έρευνα |
|
APTM120A29FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 | Έρευνα |
|
APTM120A20SG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120A20DG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 | Έρευνα |
 |
APTM120DA30CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 | Έρευνα |
|
APTM120A80FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 | Έρευνα |
 |
APTM120H140FT1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 | Έρευνα |
 |
APTM120DU15G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120DA29TG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 | Έρευνα |
|
APTM120DA15G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120H57FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 | Έρευνα |
|
APTM120DDA57T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 | Έρευνα |
|
APTM120H57FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 | Έρευνα |
 |
APTM120H29FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120DU29TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 | Έρευνα |
|
APTM120A65FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο