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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > XP0NG8A00L
XP0NG8A00L
XP0NG8A00L
Modelo do Produto:
XP0NG8A00L
Fabricante:
Panasonic
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 0.15W SMINI6
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
56154 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
XP0NG8A00L.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased + Diode
Embalagem do dispositivo fornecedor:SMINI6-G1
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):4.7 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Power - Max:150mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:XP0NG8A00LCT
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:80MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:20 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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