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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > XP0NG8A00L
XP0NG8A00L
XP0NG8A00L
Modèle de produit:
XP0NG8A00L
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS PREBIAS PNP 0.15W SMINI6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
56154 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
XP0NG8A00L.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased + Diode
Package composant fournisseur:SMINI6-G1
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):4.7 kOhms
Résistance - Base (R1):4.7 kOhms
Puissance - Max:150mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:XP0NG8A00LCT
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:80MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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