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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > XN0411600L
XN0411600L
XN0411600L
Modelo do Produto:
XN0411600L
Fabricante:
Panasonic
Descrição:
TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
45533 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
XN0411600L.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:MINI6-G1
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):-
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Power - Max:300mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:SOT-23-6
Outros nomes:XN0411600LDKR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:80MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 300mW Surface Mount MINI6-G1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:160 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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