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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > XN0411600L
XN0411600L
XN0411600L
Modèle de produit:
XN0411600L
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
45533 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
XN0411600L.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:MINI6-G1
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):-
Résistance - Base (R1):4.7 kOhms
Puissance - Max:300mW
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:SOT-23-6
Autres noms:XN0411600LDKR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:80MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 300mW Surface Mount MINI6-G1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:160 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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