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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > UNR211000L
UNR211000L
UNR211000L
Modelo do Produto:
UNR211000L
Fabricante:
Panasonic
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Status sem chumbo:
Solicitar verificação de inventário / Solicitar verificação de inventário
Quantidade em estoque:
23216 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
UNR211000L.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:Mini3-G1
Série:-
Resistor - Base (R1):47 kOhms
Power - Max:200mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:UNR211000LDKR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Request inventory verification / Request inventory verification
Frequência - Transição:80MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:160 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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