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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > UNR211000L
UNR211000L
UNR211000L
Modello di prodotti:
UNR211000L
fabbricante:
Panasonic
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Stato senza piombo:
Richiedi verifica dell'inventario / Richiedi la verifica dell'inventario
Quantità di magazzino:
23216 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
UNR211000L.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:Mini3-G1
Serie:-
Resistor - Base (R1):47 kOhms
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:UNR211000LDKR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Request inventory verification / Request inventory verification
Frequenza - transizione:80MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:160 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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