TS13002ACT A3G está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para TS13002ACT A3G, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para TS13002ACT A3G por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre TS13002ACT A3G com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
TS13002ACT A3G
- Modelo do Produto:
- TS13002ACT A3G
- Fabricante:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Descrição:
- TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 20A
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 50975 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- TS13002ACT A3G.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 400V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 20mA, 200mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 600mW |
| Embalagem: | Tape & Box (TB) |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Outros nomes: | TS13002ACT A3G-ND TS13002ACTA3G |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 32 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 4MHz |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 300mA 4MHz 600mW Through Hole TO-92 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 25 @ 100mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 1µA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 300mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para TS13002ACT A3G
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC