Az TS13002ACT A3G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az TS13002ACT A3G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetTS13002ACT A3Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon TS13002ACT A3G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
TS13002ACT A3G
- Cikkszám:
- TS13002ACT A3G
- Gyártó:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Leírás:
- TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 20A
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 50975 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- TS13002ACT A3G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 400V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 1.5V @ 20mA, 200mA |
| Tranzisztor típusú: | NPN |
| Szállító eszközcsomag: | TO-92 |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 600mW |
| Csomagolás: | Tape & Box (TB) |
| Csomagolás / tok: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Más nevek: | TS13002ACT A3G-ND TS13002ACTA3G |
| Üzemi hőmérséklet: | 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 32 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | 4MHz |
| Részletes leírás: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 300mA 4MHz 600mW Through Hole TO-92 |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 25 @ 100mA, 10V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 1µA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 300mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az TS13002ACT A3G-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be